IDF2012 马宏升：3D三栅级晶体管加速用户体验
4月11日至12日，2012英特尔信息技术峰会(IDF)在北京国家会议中心举办。IDF 2012以“未来在我‘芯’”为主题，分享并展示英特尔在超极本TM、云计算、智能手机以及嵌入式系统研究等领域的最新进展和先进技术，马宏升、施浩德和柏安娜等三位嘉宾发表了主题演讲。
在主题演讲中，现任英特尔公司全球执行副总裁兼英特尔中国区董事长马宏升(Sean Maloney)宣布了英特尔“在晶体管制造工艺历史上革命性的进步”——最新的22纳米生产线上生产的3D三栅级晶体管的技术，该技术可以在保持低压下提高30%的性能，或者功率不变同时降低50%功耗，改善用户体验，且适用于便携设备。
马宏升在现场展示了模型，一个放大了无数倍的晶体管，如果晶体管的体积有这么大，那么现在一个普通CPU的 大小就会超过整个地球体积。
为什么说它是一个革命性的进步呢？马宏升详细解释说，平面晶体管的工作方式，跟家里的开关一样，关上代表着一个逻辑的0，打开，是代表着一个逻辑的1。
一个晶体管有几个组成部分，包括源极，栅极，高K介电材料。那么栅极是控制着电子的流动，就是从源极到漏极的流动。高K介电材料能够降低栅极的漏电。那么在栅极的电压为0时，晶体管就关闭了，电子就不会从源极流到漏极，电压附加到栅极上，晶体管就打开了。那么电子就自由的从源极流到漏极。
什么是好的晶体管呢？设想非常常见的淋浴开关，关上淋浴的时候，不希望水滴下来，打开淋浴的时候，希望这个水能够有很好的水流出来，水量很高，可以很好的冲澡。晶体管是一样的，我们希望控制好关闭的状态，确保没有漏电的情况。打开的时候，我们希望有很强的电流。
马宏升还认为，好的晶体管应该能够很快速的在开关之间进行切换。三栅极的晶体管，不像平面晶体管，它用一个鳍状物的结构。这样3D的结构，能够改善开和关的一个状态的特性。那么在三栅极晶体管打开的时候，电子能够通过这个表面，通过鳍状物的表面，以及两边流动。所以，它的表面极更大，这样能够产生更大的开的电流。
马宏升总结说，通过利用3D的设计，能够控制3个方面的渠道。这个使得能够降低漏电压。同时，能够更快的在开关之间进行切换。3D的晶体管体积更小，速度更快，能耗要低很多。它的设计是基于以前英特尔技术进步，包括应变硅技术，以及高K金属栅极的技术。那么，我们就能够在低电压，实现30%的性能提高。以及在持续性能降低，耗能高达50%。
马宏升最后表示，三栅极的晶体管能够很明确的改善用户的体验。包括超极本、PC以及服务器。但是这种晶体管也非常适用于体积更小，更便于携带的设备，比如说平板电脑和智能手机。
超极本是英特尔公司在2012年度的主推产品，该产品以强劲的性能、超薄的体积和极低的功耗著称，英特尔3D三栅极晶体管技术为超极本这些特性的实现，奠定了坚实的基础。
