Anania说：“我认为此类LED显然将比2D平面型(蓝宝石基GaN)器件便宜。材料成本更加低廉，由于不需要使用一个很厚的GaN层，我们将节省大量的资金，而且能实现很快的生长速度;在采用MOCVD设备时，我们的生产能力可达原先的三倍。”

经验丰富的首席执行官GiorgioAnania解释了，整个世界目前都在为3D LED做准备的原因。

　　如果对GiorgioAnania其人稍做一些深入的了解，您很快就会发现他对于如何创业颇有心得。凭借将多家创业公司从研究机构转变成价值百万美元的商业实体之骄人成绩，这位长春藤名牌大学(Ivyleague)的毕业生声名鹊起。他的领军企业BookhamTechnology(现称作Oclaro)曾是英国成长速度最快的公司，也是在电信业整体低迷期间成功生存下来的极少数企业之一。

　　如今，Anania已经把目光投向了3D LED。作为Aledia公司(一家硅基氮化镓[GaN]微细线LED的开发商)的现任首席执行官，他于近期募集了价值1300美元的创业股，并计划募集更多。

　　正如他所指出的那样，在硅基上生长垂直GaN微细线可避免晶圆应力的积聚，而在硅基上沉积GaN和InGaN层时则会出现上述情况。这里，材料膨胀系数的差异在加工过程中导致了晶格失配，最终我们得到的将是布满缺陷的晶圆，而这些缺陷会降低器件的良率和性能。

　　不过，正如他强调的那样：“这些LED产品即将由硅晶圆代工厂制造，因此，只需揿一下按钮您就能[大幅提高]产量。现在，我们已经获得了快速、较少的材料、更便宜且更大的衬底，以及半导体代工厂定价。”

作为关键的举措，Aledia公司最近将其制造工艺转变为8英寸硅晶圆。每个晶圆包含几十亿根同轴GaN微细线，其各具<1μm的直径并充当一个LED，能够从所有的侧面发光。关于这家公司在晶圆上生长微细线的实际方法，Anania仍然守口如瓶(仅仅确认它是一种自下而上的外延生长工艺)，并以玩笑的口吻说：“为了尽量不让Samsung公司了解此项技术，我们已经‘保密’了一年的时间。”