1947年：William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain在贝尔实验验成功开发出首个晶体管。

1950年：William Shockley开发出双极结型晶体管，就是现在通行的标准晶体管。

1954年：首款晶体管收音机Regency TR1上市，这种收音机里面只包含四个锗晶体管。

1961年：罗伯特·诺伊斯获得首个集成电路专利。最初的晶体管对于收音机和电话而言已经足够，但是更新的电子设备要求规格更小的晶体管-集成电路。

1965年：摩尔定律诞生-戈登·摩尔在《电子杂志》发表的文章中预测：未来芯片上晶体管的数量大约每年翻一倍(10年后，修正为每两年翻一倍)。三年后，摩尔和诺伊斯创建了英特尔公司，英文名Intel即“集成电子(Integrated Electronics)”的缩写。

1969年：英特尔开发出首个成功的PMOS硅栅极晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。

1971年：英特尔推出首个微处理器-4004。4004的规格为1/8英寸X1/16英寸，包含2250个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术在2英寸晶圆上产生。

1985年：英特尔386微处理器问世，含有275000个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，可同时运行多个程序。最初是使用1.5微米CMOS技术制造的。

2002年：英特尔发布了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-K介质材料。这是业内首次在生产工艺中采用应变硅。

2007年：英特尔公布采用突破性的晶体管材料-高-K金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器—英特尔酷睿2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强系列多处理器的数以亿计的45纳米晶体管中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代号为Penryn。

2011年5月3日：英特尔宣布将批量生产一种全新的晶体管设计。三栅极晶体管将在各种计算设备中（从服务器到台式机，从笔记本电脑到手持式设备）实现前所未有的高性能和能效。