日本尔必达内存公司，台湾力成科技（PTI）以及台湾联电公司近日发表联合声明，宣布三家公司将联合开发基于3D芯片技术的先进制造制程技术，其中也包括 28nm制程技术。这次合作将把尔必达公司在内存技术方面，联电公司在芯片制造方面以及力成科技在封装技术方面的技术优势，开发出一套全面适用的3D芯片集成解决方案。

2009年，尔必达公司便已经开发出了基于TSV互连技术的8Gb密度DRAM芯片，尔必达公司的高管表示：”与联电公司的合作，意味着我们的DRAM用TSV互连技术将可以与联电在SOC芯片和高级逻辑芯片方面的制造技术结合在一起。“而PTI的加入，则令尔必达和联电能将自己制作的TSV产品以不同的封装和服务形式提供给市场。

据联电公司的高管表示，联电28nm HKMG制程将使用gate-last工艺，使用这种制程制作出来的样品芯片将与今年年底开始交付给客户做测试验证。而将联电的逻辑/接口技术与尔必达的DRAM/TSV技术以及PTI的芯片封装/测试技术结合在一起后，这个合作项目将可以为客户提供一个一体化的3D芯片解决方案。

另据透露，联电公司计划与尔必达达成交叉持股协议，以便强化两者未来的合作伙伴关系。今年6月15日，联电公司表示公司董事会已经通过了一项筹款提案，联电还表示目前正在积极寻找战略合作伙伴。