晶体
场，引起周期势场畸变，造成晶体不完整性称电荷缺陷。
例：纯半导体禁带较宽，价电带电子很难越过禁带进入导带，导电率很低，为改善导电性，可采用掺加杂质的办法，如在半导体硅中掺入P和B，掺入一个P，则与周围Si原子形成四对共价键，并导出一个电子，叫施主型杂质，这个多余电子处于半束缚状态，只须填加很少能量，就能跃迁到导带中，它的能量状态是在禁带上部靠近导带下部的一个附加能级上，叫施主能级，叫n型半导体。当掺入一个B，少一个电子，不得不向其它Si原子夺取一个电子补充，这就在Si原子中造成空穴，叫受主型杂质，这个空穴也仅增加一点能量就能把价带中电子吸过来，它的能量状态在禁带下部靠近价带顶部一个附加能级，叫受主能级，叫P型半导体，自由电子，空穴都是晶体一种缺
点缺陷在实践中有重要意义：烧成烧结，固相反应，扩散，对半导体，电绝缘用陶瓷有重要意义，使晶体着色等。
实际晶体在结晶时，受到杂质，温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击，切割等机械应力作用，使晶体内部质点排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶体的有序排列，形成线状缺陷。
位错直观定义：晶体中已滑移面与未滑移面的边界线。
这种线缺陷又称位错，注意：位错不是一条几何线，而是一个有一定宽度的管道，位错区域质点排列严重畸变，有时造成晶体面网发生错动。对晶体强度有很大影响。
位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。
1. 刃型位错
其形式可以设想为：在一完整晶体，沿BCEF晶面横切一刀，从BC→AD，将ABCD面上半部分，作用以压力δ，使之产生滑移，距离 （柏氏矢量晶格常数或数倍）滑移面BCEF，滑移区ABCD，未滑移区ADEF，AD为已滑移区交界线—位错线。
正面看简图：如上图
滑移上部多出半个原子面，就象刀刃一样（劈木材）称刃型位错。
特点：滑移方向与位错线垂直，符号⊥，有多余半片原子面。
2. 螺型位错
其形成可设想为：在一完整晶体，沿ABCD晶面横切一刀，在ABCD面上部分沿X方向施一力δ，使其生产滑移 ，滑移区ABCD未滑移区ADEF，交界线AD（位错线）
特点：滑移方向与位错线平行，与位错线垂直的面不是平面，呈螺施状，称螺型位错。
刃型位错与螺型位错区别：
a-正常面网,
b-刃型位错,
c-螺型位错
主要从各自特点区别：
刃型：滑移方向与位错线垂直，多半个原子面，位错线可为曲线。
螺型：滑移方向与位错线平行，呈螺旋状，位错线直线。
由于位错的存在对晶体的生长，杂质在晶体中的扩散，晶体内镶嵌结构的形成及晶体的高温蠕变性等一系列性质和过程都有重要影响。
晶体位错的研究方法：通常用光学显微镜，X光衍射电子衍射和电子显微镜等技术进行直接观察和间接测定。
位错具有以下基本性质：
(1)位错是晶体中原子排列的线缺陷，不是几何意义的线，是有一定尺度的管道。
(2)形变滑移是位错运动的结果，并不是说位错是由形变产生的，因为一块生长很完事的晶体中，本身就存在很多位错。
(3)位错线可以终止在晶体的表面（或多晶体的晶界上），但不能终止在一个完事的晶体内部。
(4)在位错线附近有很大应力集中，附近原子能量较高，易运动。
涉及较大范围（二维方向）、晶界、晶面、堆垛层错。
1. 晶面：由于晶体表面处的离子或原子具有不饱和键，有很大反应活性，表面结构出现不对称性，使点阵受到很大弯曲变形，因而能量比内部能量高，是一种缺陷。
2. 晶界：晶粒之间交界面，晶粒间取向不同出现晶粒间界，在晶粒界面上的排列是一种过渡状态与两晶粒都不相同。
1）小角度晶界（镶嵌块）
尺寸在10-6-10-8m的小晶块，彼此间以几秒到 的微小（ ）角度倾斜相交，形成镶嵌结构，有人认为是棱位错，由于晶粒以微小角度相交，可以认为合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位错。
2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角较大，在多晶体中，晶体可能出现大角度晶界。在这种晶界中，顶点排列接近无序状态，晶界处是缺陷位置，所以能量较高，可吸附外来质点。晶界是原子或离子扩散的快速通道，也是空位消除的地方，这种特殊作用对固相反应，烧结起重要作用，对陶瓷、耐火材料等多晶材料性能如蠕变、强度等力学性能和极化、损耗等介电性能影响较大。
3. 堆垛层错
离子堆垛过程中发生了层次错动，出现堆垛层错，如面心立方堆积形式为ABCABCA……→ABCACBABC中间的B层和C层发生了层次错动，出现缺陷（一般了解）
非化学计量化合物
定义：化合物中各元素的原子数之比不是简单的整数而出现了分数，如Fe1-xO,Cu2-xO,Co1-xO等。
在基础化学中学到的化合物的分子式都是符合定比定律的，即元素的原子数之比为简单整数比，如FeO，Fe/O=1/1，TiO2, Ti/O=1/2等，现在认为这种严格按化学计量形成的化合物是一种特殊情况，而普遍存在着所谓非化学计量化合物。
非化学计量化合物缺陷有四种类型：
(1) 阳离子过剩，形成阴离子空位
TiO2，ZrO2会产生这种缺陷，分子式为TiO2-x, ZrO2-x,从化学计量观念，正负离子比为1：2，由于揣氧不足，在晶体中存在氧空位，而变为非化学计量化合物。从化学观念看，缺氧TiO2可以看作是四价钛和三价钛氧化物的固体溶液，即Ti2O3在TiO2中的固溶体，或从电中性考虑，Ti由四价→三价，原因：Ti4+获得一个电子→Ti3+，所获得的电了是由于氧不足脱离. 正常TiO2晶格结点放出的，在电场作用下，这一电子可以一个钛离子位置迁移到另一个钛离子位置，并非固定在某一钛离子上，从而形成电子电导，具有这种缺陷的材料称n型半导体。这种非化学计量化合物缺陷方程可写成：例：在还原气氛下TiO2→TiO2-x
也可看成部分O由晶格逸出变成气体：
可见：这种非化学计量化合物的形成多是由变价正离子构成的氧化物，由高价变为低价，形成负离子空位，还有ThO2，CeO2等，与气氛有关。
(2) 阳离子过剩，形成间隙阳离子
如ZnO、CdO→Zn1+xo,Cd1+xO，过剩的金属离子进入间隙位，为保持电中性，等价电子被束缚在间隙位的金属离子周围。例：ZnO在锌蒸气中加热，颜色逐渐加深变化。
(3) 负电子过剩，形成间隙负离子。
目前吸发现有UO2+X，可以看作U3O8在UO2中的固溶体，当负离子过剩进入间隙位置时，结构中必须出现两个电子空穴，以平衡整体电中性，相应正离子电价升高，电子空穴在电场作用下产生运动，这种材料称P型半导体。
(4) 负离子过剩形成正离子空位
由于存在正离子空位，为保持电中性，在正离子空位周围捕获电子空位，因此其也是P型半导体，如Cu2O、FeO即是。例：FeO在氧气下形成这种缺陷，实际上是Fe2O3在FeO中形成的固溶体（高价取代低价），即2个Fe3+取代3个Fe2+，同时在晶格中形成个正离子空位，在氧气条件下，氧气进入FeO晶格结构中，变为氧离子，必须从铁离子获得两个电子，使Fe2+→Fe3+，并形成VFe。
可见，非化学计量化合物缺陷的形成主要受气氛影响，也与温度有关，严格说，世界上所有化合物都是非化学计量的，只是程度不同而已。
