高鼎三（1914 07.24 - 2002 06.13），著名半导体物理与器件学家、微电子与光电子专家、吉林大学教授、中国工程院院士。出生于上海，其父是宜兴丁蜀镇人。1937年考入交通大学。1947年赴美国加利福尼亚大学留学。1951年取得硕士学位后开始攻读博士学位。1955年回到祖国，到东北人民大学（现吉林大学）任教。1959年他主持建立了全国第一个半导体系，成功研制了我国首个锗功率器件，是我国半导体事业的开拓者，并组建了吉林大学“集成光电子国家重点实验室”，为我国光电器件和半导体激光器发展倾注了毕生精力，并培养了一大批专业人才。1995年当选为中国工程院院士。2002年6月13日病逝。

人物简历

　　１９１４年７月２４日　出生于上海市。
　　１９３４年２月　考入上海大同大学附中读书。
　　１９３７年７月　考入交通大学，“８·１３”战事爆发后到武汉大学借读。
　　１９３８—１９４１年　转入昆明西南联合大学求学直至毕业。
　　１９４１—１９４８年　中国研究院评议会任《科学记录》助理编辑。
　　１９４８—１９５３年　在美国加利福尼亚大学研究院物理系获硕士学位后再读博士课程。
　　１９５３—１９５５年　在美国洛杉矶国际整流器公司任研究员。
　　１９５５—１９５９年　在东北人民大学（后改为吉林大学）物理系任副教授、系副主任兼半导体研究室主任。
　　１９５９—１９８４年　任吉林大学半导体系主任、副教授、教授。
　　１９８４—　任吉林大学电子工程系名誉系主任、教授。
　　１９９０—１９９３年　担任“集成光电子学国家重点实验室”学术委员会主任。

人物主要经历

　　高鼎三，１９１４年７月２４日出生于上海市一个贫寒家庭。７岁靠母亲的缝纫劳作和舅舅的照顾，开始到江阴观音寺小学读书。两年后，母亲带他及弟弟去北京、营口等地找到了为生计而奔波的父亲。饱经颠沛的高鼎三很知上学不易，每到一处甚为用功。１３岁那年，因北方难以谋生，母亲又带他们回到了江阴。迫于生计，高鼎三只好弃学到当地一家绸布店当学徒，一连６载。学徒期间，他抓紧空闲时间阅读报纸，在１６岁那年又函授攻读文科。３０年代初期，国内政治动荡，市场萧条、店铺倒闭，高鼎三失业了。１９３３年，时已年及２０，从没学过英语、数学、物理、化学的高鼎三在其刚从美国学成归来的姨母的鼓励与资助下，在家自学半年后考入上海大同大学附中（高中），以半工半读形式读至毕业。１９３７年他考入了交通大学，并得到了上海爱国化学家吴蕴初出资设立的清寒教育基金资助。上海“八一三”战事爆发后，高鼎三到武汉大学借读，１９３８年９月又转到昆明西南联大读书。１９４１年７月以优异成绩毕业，获得理学学士学位。 高鼎三大学毕业后到中央研究院评议会任《科学记录》助理编辑，在主任编辑吴有训教授直接领导下工作。 在武汉大学读书期间，高鼎三有幸聆听到周恩来同志的一次讲演，使他对共产党抗日政策有了直接了解。在西南联大读书时，又受到了吴有训、周培源等教授的爱国精神和严谨治学态度的影响。在昆明参加工作之后，在当时社会各界反对国民党独裁统治、政治腐败、主谋内战的群众性斗争的影响下，特别是李公朴、闻一多等人惨遭国民党特务暗杀之后，高鼎三积极参加了“联大”师生反对内战的爱国游行示威。这些都成为高鼎三后来由美国回到新中国怀抱的思想基础。 １９４７年１１月，高鼎三被录取为留美实习生，去美国加利福尼亚大学研究院继续攻读物理。因成绩优异，第二年被录取为助教（兼职）资格，免交学费。因国内经费断绝，他就改走勤工俭学之路，１９５１年取得硕士学位后就开始攻读博士学位。但因情况变化，中断了学业，改去洛杉矶一家国际整流器公司任研究员。 在１９４８～１９５５年期间，身处异国的高鼎三时时关心祖国的命运，他参加了进步组织“留美科协”并被推选为海湾地区候补副理事长，还担任加州大学中国留学生学生会副主席。他为了能早日参加祖国建设，和其他爱国留学生一起积极申请回国，并联名给美国总统写信表明政治态度。虽然整流器公司经理答应给他加薪，希望他留在该公司，但他坚决拒绝。经过长达４年多的斗净，终于在１９５５年５月初乘上“威尔逊总统号”轮船回到了阔别近８年的祖国。 八年间，祖国发生了翻天覆地的变化，目睹无数事实，使他对祖国的前途充满了信心。当时许多条件较好的学校都邀请高鼎三前去工作，但他却认定应该听从组织分配。１９５５年９月，来到条件较为艰苦的东北人民大学（后改为吉林大学）任物理系副教授、副系主任兼半导体研究室主任。１９５９年他主持建立了半导体系，并任系主任一直到１９８４年。１９７８年他被评为教授，其间还一度兼任他亲手创建的“集成光电子研究室”主任。１９８４年以后，他担任了由半导体系扩建成的电子工程系名誉系主任。１９９５年被选为中国工程院院士。 高鼎三曾经担任过由清华大学、吉林大学和中科院半导体研究所联合组建的“集成光电子学国家重点实验室”首届学术委员会主任（１９９０～１９９３），中国电工学会理事，全国电工技术学会电力电子学会理事及中国电子学会半导体与集成技术分会委员，国家科委光通信专业组顾问及长春市物理学会副理事长，吉林省电子学会副理事长等学术职务。
　　

我国半导体事业的开拓者

　　　早在５０年代初期，高鼎三在美国国际整流器公司工作期间，就曾提出一种新的工艺方法，为该公司解决了大面积大电流整流器的制造难题，他在那时主持研制成功的半导体大功率整流器，已被当时美国的有关业界用于美国火箭发动机、化工自动控制系统之中。 １９５６年２月，他去北京参加中国物理学会召开的关于半导体研究的会议。会上他满怀信心地提出：“要开展半导体的研究，赶上世界先进水平”。回校后，他带领半导体研制小组的同志，仅仅利用５个星期的时间就试制成锗大功率整流器。这是我国第一个用锗材料制造成的功率器件；１９５６年３月２５日向“全国科学规划会议”报喜后，４月１４日的《人民日报》、５月２９日的《光明日报》及科学出版社在以后为庆祝建国十周年而出版的《十年来的中国科学》都对此作了详细报导。此后不久，他又在国内研制成功锗点接触二极管和三极管。这些成果在当时被视为具有世界先进水平。随着半导体研究室和半导体系的相继建成，他的报效祖国的热情更为高涨。 １９５８～１９５９年，在他的指导下，吉林大学半导体系研制出了开国内先河的锗光电二极管。此外，还研制成功了半导体热敏电阻、氧化铜整流器、砷化镓等半导体器件和半导体材料。 １９６２～１９６５年，他指导研究生进行了“外延技术”的研究，并制作了隧道二极管、砷化镓激光器、台面晶体管等。 １９７６年，他主持研制的室温工作的锌扩散砷化镓平面条形双异质结激光器，达到了国内先进水平，获１９７８年全国科技大会奖。 １９８６～１９８８年，他作为负责人承担了国家自然科学基金项目“复合腔波导互补半导体激光器横模特性及纵模锁定效应的研究”。由于结构设计新颖及利用了互补原理，使激光器模式特性有了很大改善，从而制作出了较好的器件。该项成果于１９８５年获电子部科技成果一等奖，１９８８年获国家发明三等奖。 在“七五”及“八五”期间，高鼎三还承担并指导完成了许多重大科研项目，例如： 他指导的国家科委“８６３”计划项目“可见光激光器的研制”，通过对结构设计、工作机理及工艺的研究，使红光半导体激光器寿命有很大提高，其中“阶梯衬底内条形可见光半导体激光器”于１９９１年获国家教委科技进步三等奖，１９９２年获国家发明三等奖。 他指导的吉林省科委关于可见光激光器的开发应用项目，其中的研制成果“半导体激光器热传输特性研究”获１９９２年国家教委科技进步（甲类）三等奖。 他指导的国家攻关项目“复合腔动态单膜半导体激光器”，其对称三腔型和原子轰击内干