韩国电子通信研究院（ETRI）于6月11日公布了一项Micro-LED-on-Silicon（ LEDoS）显示技术突破，实现了2500 PPI级LEDOS显示及配套的超精密激光键合技术，可应用于AI和XR设备。

研究团队通过超精密激光键合技术，将约92万微型LED芯片精确焊接到硅基 CMOS电路，实现高亮度、低功耗及高像素密度显示。其密集度超越AI半导体所用的HBM4。

为解决现有LEDoS键合过程中基板翘曲、微粒污染及错位问题，ETRI应用了新材料SITRAB，使激光键合可在室温阶段完成，降低热膨胀导致的变形和对位误差。

相关成果已于5月发表于《Microsystems & Nanoengineering》期刊。SITRAB材料技术已转让给韩国本土材料企业，工艺设备正由国内半导体后端专业公司在量产线上验证。

ETRI表示，未来将进一步开发全彩RGB、超低功耗驱动及大面积化技术，并加强与本土材料、设备、封装企业的合作，推动下一代显示与先进封装商用化。该成果曾在SID Display Week 2026展出，并获得Micro-LED领域“大众选择奖”。