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探索3D内存芯片 存取数据达128Gbps快DDR3 10倍

文章来源:pconline 作者: 发布时间:2012年07月12日 点击数: 字号:
    相信大家对于著名的摩尔定律都略知一二,但是随着集成电路晶体管尺寸越来越小,CPU内存等芯片的发展势必与摩尔定律有些出入。电路越来越密集,就像平房到摩天大楼的过渡一样,如今各芯片制造商都在探索3D芯片的可能性,HMC,混合立方内存芯片就是3D内存芯片。据相关数据表明,HMC内存芯片存取数据能达128Gbps,是目前DDR3内存的10倍以上。继IBM、微软、三星后,最近惠普、ARM、海力士也加入到了HMC联盟中。
 
探索3D内存芯片 存取数据达128Gbps快DDR3 10倍
Hybrid Memory Cube
 
  ARM、惠普以及海力士加入到HMC联盟中,标志着由美光、三星主导的HMC联盟对于3D内存架构的应用推广又有了重大进展。
 
  此次加入的三家公司中,分别在处理器、电脑、内存上拥有者关键技术。与此前加入的Altera、IBM、Microsoft、Open-Silicon、Xilinx以及美光、三星,将会一起合作,制定一个开放的3D内存芯片标准。
 
  Hybrid Memory Cube(HMC),混合立方内存芯片,由美光公司提出,这种混合立体内存与CPU的数据传输速度将是现阶段内存技术的10倍以上,以便适应高速发展的处理器和宽带网络。
 
  下一代高性能电脑以及网络设备对于内存带宽的要求越来越高,而随着当前晶体管密度的不断接近物理极限,简单的通过增加晶体管密度提升性能已经十分困难,因此只有通过架构上的而改变才能满足新的要求,这才催生了混合立方内存芯片的研究。
 
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三星&美光
 
  在2011年6月,三星和美光牵头,联合了Altera、Open Silicon、Xilinx等,成立了Hybrid Memory Cube Consofrtin(混合立方内存芯片联盟)。旨在通过多方的合作,将新的内存技术混合立方内存芯片推向市场。
 
 
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