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国外对Ivy Bridge处理器3D晶体管的解析

文章来源:eNet硅谷动力 作者:佚名 发布时间:2012年04月16日 点击数: 字号:
    

  UBM TechInsights解析了一块Ivy Bridge处理器。Ivy Bridge是第一款使用3D晶体管技术和22nm工艺的产品,并且即将发售。

  一些网站推测Intel最早将会在四月底正式发售Ivy Bridge处理器,也有一些网站说发售将会推迟到7月份。

  一名Intel发言人说Ivy Bridge的发售将会「很快」。并说到「我们自去年底就已经启动生产了」,不过那个时间似乎指的是工程样品。

  UBM TechInsights手里的是一颗标记着3.3GHz名为i5-3550的Ivy Bridge芯片。封装于马来西亚,Die面积为 170 平方毫米,比目前Sandy Bridge i7 2600K CPU的208 平方毫米有所减小。

  在最初的测试中,UBM TechInsights发现嵌入SRAM在处理器中的间距(gate pitches)为90nm。也发现逻辑区(logic ragions)的gate lengths为22nm。

  专业地说,下一代工艺的准确命名分为艺术上的和科学上的。甚至Intel内部对将gate lengths用作新制程的命名一事激烈地争论。

  大多数半导体业者都说下一代工艺为28nm。Altera和Xilinx已经制出28 nm FPGA,以及AMD和和高通都在进行着28nm芯片的生产 ,也包括GlobalFoundries (AMD拆分出来的代工企业)和台积电.

  Intel的22nm工艺是独一无二的,在于其使用的3D晶体管,或者说是FinFETs(double-gate晶体管)。这种晶体管设计将带来更低的漏电, 解决了这一代工艺的一个很大的难题。其他的芯片制造者说他们将布署低于20nm的工艺.

  UBM TechInsights目的在于,在提供的两份报告基础上解析Ivy Bridge芯片。将于5月4日前后放出详细的逻辑结构分析报告,涵盖芯片的工艺技术,嵌入式存储器,逻辑单元,逻辑和I / O晶体管芯片的高清晰度图像和其主要区块。

  该公司也将于5月18日前后放出第二次报告,内容为CPU的晶体管特性。将在三个温度水平来衡量,包括芯片的NMOS和PMOS管,它的gate和channel 漏电和性能的基准数据的直流电气特性分析。

  分析将使用扫描和透射电子显微镜,扩展电阻分析和X射线技术。UBM TechInsights是,EE Times的出版社分割出来的姊妹公司。

  

对Ivy Bridge处理器3D晶体管的解析

  由TechInsights拍摄的,Ivy Bridge芯片TEM截面(上图)显示的3D晶体管。同样由TechInsights拍摄的,一颗Ivy Bridge芯片的核心照片(下图),对比当前的Intel Sandy Bridge的酷睿i7-2600K CPU(最下张)的核心照片。

  

对Ivy Bridge处理器3D晶体管的解析

  

对Ivy Bridge处理器3D晶体管的解析

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