随着目前平面化的芯片开始出现多层式结构，半导体制造的基础将在未来几年发生转变。在全球主要的半导体工程领域花费近十年的时间致力于使得这种结构实现可制造化之后，立体的三维芯片(3D IC)终于可望在明年开始商用化──但这其实也已经远落后于先前规划的时程多年了。

过去几年来，芯片制造商们一直在努力地使与3D IC互连的TSV技术更加完善。现在，TSV已经可针对2D作业实现最佳化了，例如从平面芯片的正面传送数据到背面的微凸块，采用堆栈芯片的3D IC时代即将来临。

去年冬天所举行的国际固态电路会议(ISSCC)上所探讨的主题几乎都是3D芯片，例如三星(Samsung)公司大肆宣传其1Gb行动DRAM，并计划在2013年前量产4Gbit芯片。透过三星的2.5D技术，可使采用TSV的堆栈DRAM与系统级封装(SiP)上的微凸块密切配合。

预计今年秋天就能看到在2.5D技术方面的重大成就──赛灵思(Xilinx)公司将提供一种多级FPGA解决方案，它透过封装技术而使四个平行排列的Virtex-7 FPGA与硅晶内插器上的微凸块实现互连。台湾集成电路制造公司(TSMC)正在制造这种可为FPGA重新分配互连的硅晶内插器──采用一种以‘塌陷高度控制芯片连接’(C4)技术接合基板封装上铜球的TSV技术。台积电承诺可望在明年为其代工客户提供这种突破性的2.5D 至3D过渡技术。

然而，2011年所发布最令人惊喜的3D IC消息来自于IBM公司。该公司最近透露已经秘密地大规模生产可用于大量行动消费电子设备的成熟3D IC，不过使用的仍是低密度的TSV技术。由于累积了相当的技术经验，IBM声称目前已掌握了3D的其它工程障碍，并预计能在2012年时克服这些挑战。

IBM公司展示3D IC未来将如何在相同硅砖上层迭处理器、内存与光学网络等组件。

“凭借一招半式闯天涯的时代已经结束了，”IBM公司研究副总裁Bernard Meyerson指出，“如果只想依赖于某种材料、芯片架构、网络、软件或整合，就无法在3D性能战中取得胜算。为了要在3D战场上致胜，就必须尽可能地同时使用所有的资源。”

IBM在今年九月宣布已经与3M公司商讨共同创造一种新的设计材料──这种材料可望解决3D IC最后剩余的工程障碍：过热问题。3M公司的任务在于创造一种适合于堆栈芯片之间的填充材料，也是一种类似电介质的电绝缘体，但比硅晶的导热性更佳。3M承诺可在两年内使这种神奇的材料商用化。

“现在，我们一直在进行试验，希望能在2013年以前发展出一个可行的方案，以实现广泛的商用化，”3M公司电子市场材料部门的技术总监程明说。

然而，对于IBM-3M共同开发的努力能否使双方公司处于3D IC竞赛的领先位置，一些分析师们对此仍存疑。

“3M正在制造一种可为3D堆栈解决散热问题的填充材料，”MEMS Investor Journal先进封装技术的首席分析师Francoise von Trapp说。“虽然这绝对是在3D IC量产前必需解决的挑战之一，但我认为它不见得就是解决3D堆栈其余问题的最后关键。”