2，臆断消费心理。貌似是消费心理学的结果，其实这只是厂商在主观臆断，用30年前腐朽的、外星人般看待中国消费者，明知1斤糖的重量是固定的，能接受9两加1两，不能接受1.1两减1两。时代在进步，改革开放都30年来，还想蒙中国用户的做法，真的很幼稚。

　　观点：

　　己所不欲，勿施于人，铭记顾客才是上帝。

　　谎言三 美好的高亮LED

　　LED光源，成就了当今微型投影机的繁荣，然而LED光源就是微投的萧何，成也LED，败也LED。现今普通投影机都以超高压汞灯作为光源，应用LED的产品少之又少，只有几款高端的产品应用了LED作为光源。在微投领域，却截然不同，几乎所有的微型投影机都采用了LED作为光源，暂未有应用高压汞灯的产品问世。

　　三色LED光源

　　然而，LED光源由于有诸多弊端，却限制了微投的发展。这里主要是指LED光源的亮度问题。LED的发光效率近年来进步速度很快，目前白光LED的发光效率已经达到20～30流明/瓦，最高的已经达到50流明/瓦，但距离实际应用要求的光效率还有一定的差距。

　　微型投影机缺点：

　　第一，相对于普通投影机，微投画质欠佳。亮度低，分辨率低，亮度均匀性不好，画质问题始终无法进一步改善。首先，市面上微投产品的分辨率最高仅800×600，无法达到最低端普通投影机的效果。其次，对质量影响最大的还是亮度和对比度。现阶段，亮度低，微投亮度最高50流明，只能在较暗的环境下，应对简单的商务需求。

　　微投的超小光源

　　第二，相对其性能，微投的售价偏高。微投出现画质偏低问题的有效解决方案，要落实在光源上。但是，提升LED亮度相对比较困难，高亮度的LED成本也不易控制。这恰恰也是微投产品之所以能在大陆盛行的原因，低亮度的LED产品，成本低，技术含量低，而可以炒作的噱头多。

　　众人皆知，微投是个好产品，是未来的发展趋势，但由于LED光源引发的致命缺陷，就是个不可完成的任务。LED实现高亮度，还有那些困难?制造高亮度LED，使用新材质是一个重要的难题。

　　LED材料发展

　　我们可以查看一下，近20年来，LED材料发展史：

　　1991年，日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光LED，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上SiC LED的10倍，外量子效率约为0.18%。

　　1995年，日亚公司，又研制成功InGaN/AIGaN双异质结的烛光级超高亮度蓝色LED，在20mA的正向电流下，输出功率为1.5mW，外量子效率为2.7%，波长和半宽分别为450nm和70rim。

　　1997年，Schlotter等人和Nakamura等人先后发明了用蓝光管芯加黄光荧光粉封装成白光LED。

　　2001年，Kafmann等人，用UV LED激发三基色荧光粉得到白光LED。过去的几年中，白光LED引起了LED产业界和学术界的广泛重视。

　　2006年，Cree公司，宣布推出一款新的冷白光LED—“XP.G”，发光效率和亮度都创下新的记录，其在驱动电流为350mA时，光通量达1391m，光效为1321m/W，亮度和光效分别比Cree最亮的XR.E LED提高37%和53%，被称之为“业界最亮且具有最高效率的照明级LEDt211”。

　　2007年，日亚公司，发布了其新型LED，该实验型产品在顺向电流为350mA的条件下，光通量可达1451m，发光效率约为1341m/W，芯片的大小为lmm2，色温为4988K(在Ir=20mA的情况下，发光效率更高达169 lm/W)。近两年，日亚公司生产的GaN基LED，无论是蓝光、紫光、紫外还是白光LED均为国际上最高水平，其中460nm的蓝光LED的外量子效率可以达到34.9%。

　　2007年，美国的Cree公司，在SiC衬底上生长双异质结，制作的器件同样很出色，SiC衬底可以把Gabl基LED的金属电极制造在衬底的底部，电流能够通过低阻导电衬底的垂直流动，也为发展其它光电子器件奠定了基础。此公司在SiC上生长GaN基LED无论是小尺寸芯片蓝光LED和紫光LED还是大尺寸蓝光LED和紫光LED均属国际顶级水平。

　　高端LED电筒

　　看过之后我们会发现，近几年，还是美国Gree公司和日本日亚公司在继续深入研究，并取得了一定成果。但，LED的材料和工艺，并没有技术性的突破。虽然有很多机构在研究，只有少数公司成功了，LED的技术难度可想而知。