Micron总裁谈3D EUV与450mm晶圆
| 不久之前[url=/manufacture/search.php?keywords=Micro&search=1]Micro[/url]n公司表现为技术有些滞后，然而最近以来此家存储器制造商开始追赶上来，似乎在NAND方面己经超过它的竞争对手。 Micron公司正在进行25nmNAND生产线的量产准备工作,计划近期将完成。在DRAM方面,它们正进行由42nm过渡到3xnm生产线的转换,同样在NOR方面也走在前列。因此Micron己成为一家存储器产品类别最完整的公司。 在SEMI主办的工业策略年会ISS上,Micron的总裁与首席运营官MarkDurcan在它的演讲中谈到芯片制造业与未来存储器方面等问题,并接受EETimes的采访。 以下是Durcan关于产业中各种问题的看法； 1、基于硅通孔技术TSV的3D芯片 Micron己经向客户提供TSV基的样品,并认为目前此类技术尚刚开始，需要指出的是该技术是可行的,肯定不是科学虚构。 关于TSV基的3D芯片量产问题可能要到明年或18个月之后。它并说Elpida,Samsung及Toshiba都各有自己的TSV基3D芯片,则是进度不同而己。 2、450mmfabs Micron己经成功的由200mm完成向300mm芯片生产线的转换，但是对于未来的450mm生产线,Micron公司并不是一个忠实的支持者。 Durcan说,Micron并不热切盼望450mm硅片时代马上来临。Micron认为450mm硅片问题不仅是需要设备方面的变革，而是涉及到整条生产线的转移，因此对于一家存储器制造商感觉还是稳妥一些为好,不是冲动能解决的事。 至于究竟450mm硅片什么时候到来,应该有充分的依据来证实,450mm与300mm相比成本能节省2.5倍。 3、[url=/manufacture/search.php?keywords=EUV&search=1]EUV[/url]光刻 Micron是EUV光刻的忠实支持者。它相信EUV的应用涉及到许多难题，但是尚须解决大量的配套工作。 4、投资竞赛 三星计划在2011年投资方面超过竞争对手，Micron在2011的投资也由24亿美元提高到29亿美元。 Durcan又说为了与三星对抗,Micron的投资必须更加有效。从技术方面Micron有许多自有的先进技术,可以值得与三星拼搏。 5、半导体设备的整合 近时期来半导体设备厂商已经进行了多次兼并,每个类别设备厂商只剩下2-3家，因此对于芯片制造商的选择余地己不多。所以未来芯片制造商与设备制造商必须更加紧密的合作,才能共同生存下去。 6、缩微制程 估计未来DRAM可能缩小到2xnm,而NAND已经作到这个水年，所以未来缩微一定会减缓。 |
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