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刘益春

文章来源:[SouVR.com]网络收集整理 作者:Frank/Tracy 发布时间:2010年03月18日 点击数: 字号:


一:西安美术学院刘益春 

  现任西安美术学院版画系水印工作室主任。
  艺术家刘益春,浙江嵊州市长乐镇人。曾就读于嵊州市工艺美校,中国美术学院版画系,后执教于西安美院,硕士学位。以丝网版画为基础媒介综合运用各种图像技术进行艺术创作。其作品获“学院之光——童话今天2008年奖项提名西安大展”金奖,“全国第二届丝网版画展览” 优秀奖(天津),“陕西省第五届版画展览” 银奖)、“中国美术学院崇丽艺术奖”(杭州),参加“版画文献展览”(南京)、“全国综合版画展览”(广州)、“全国第17届版画展览”(贵阳)、“全国第八届铜版石版丝网版画展”(重庆)、陕西省第五、六、七届版画展等国内重要展览,作品赴德国、美国、挪威等多国展出,被广州美术学院美术馆、贵阳州美术馆、天津美术学院、中国美术学院陈列馆 、中国美术学院版画系等单位和港澳台、海内外藏家收藏。
  刘益春是中国美术学院 柏林艺术大学夏季学院”第一期学员。2005年应Bentlage版画协会邀请赴德国Bentlage版画工作室与来自德、挪、比、荷等国版画家进行版画学术交流,作品参加“PRINT BENTLAGE”国际版画交流展,期间考察德、法、卢、比、荷五国当代艺术。2007-年参与“西安•国际版画工作室”组建,与来自英、法、比、德、美顶尖艺术家进行版画交流,作品参加“西安2007国际版画工作室作品展”。
  刘益春论文、作品发表于《美术报》、《北方美术》、《西北美术》、《学院之光——童话今天2008年获奖作品集》、《学院之光——童话今天2008年西安美术学院作品集》、《希望长安-西安美术学院教师作品集》、《西安2007国际版画工作室》、《画刊》、《实践的力量,中国当代版画文献作品集》、《艺术画刊》创刊号、《全国综合版画展作品集》、《2006全国高等艺术院校版画教学与创作年会作品集》、《全国第十七届版画展作品集》、《2004中国当代艺术》 、《2004全国高等艺术院校版画教学与创作年会作品集》、《中国第二届丝网版画精品集》、《第八届全国三版展作品集》等画刊和大型画册。


二:东北师范大学刘益春

  现任东北师范大学副校长、党委常委。


  男,汉族,1963年1月生,吉林辉南人,中共党员,教授,博士生导师。中国科学院激发态物理重点实验室学术委员会委员,中国科学院长春光学机密机械与物理研究所学位委员会委员,中国物理学会发光专业委员会常委,中国光学学会纤维光学与集成光学专业委员会委员,吉林省物理学会副理事长,长春市物理学会理事长,吉林省第十届政协委员,吉林省人民政府政务信息化咨询专家组成员,《发光学报》副主编,《物理实验》杂志副主编。国家杰出青年科学基金获得者,中国科学院优秀百人计划,教育部跨世纪优秀人才,首届吉林省杰青,吉林省首批拔尖创新人才,全国模范教师,长春市优秀共产党员。
  负责学校教学和审计工作。主管教务处、审计处、离退休工作处、图书馆、网络信息中心;联系远程与继续教育学院。
  简 历:
  1981.09-1985.07 东北师范大学物理学院(原物理系)学习,获理学学士学位。
  1985.09-1988.06 中科院长春光学精密机械与物理研究所(原长春物理所)凝聚态物理专业攻读硕士学位研究生,获理学硕士学位。
  1988.07-现在 东北师范大学物理学院历任助教(1988-1990),讲师(1990-1992),副教授(1992-1998),教授(1998)。
  1992.09-1995.12 中科院长春光学精密机械与物理研究所(原长春物理所)与意大利都灵工业大学物理系联合培养凝聚态物理专业博士研究生,获博士学位。
  1996.04-1997.08 日本九州大学先端科学技术研究中心博士后;从事介电薄膜材料与MOS器件的研究工作。
  1995.12-1998.05 吉林大学化学系博士后,从事纳米电子学材料与器件的研究工作。
  1999.12-2003.09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所百人计划,从事宽禁带半导体材料与器件研究。
  2003.09-现在 中共东北师范大学党委常委。
  2004.01-现在 东北师范大学副校长。[1]
  科研成果:
  主要从事宽禁带半导体光电子材料与器件的研究工作。针对该领域研究中存在的热点、难点和基本问题,开展了一些有鲜明特色的创新性研究工作。
  发明了热氧化Zn3N2单晶薄膜制备p型ZnO的方法,成功制备出p型ZnO薄膜,该方法已被国际公认为制备p-ZnO的方法之一;利用微腔的光增益效应和纳米结构的量子限制效应,获得了在高温下(560 oC)仍具有高效紫外发射的纳米薄片材料,深入研究了材料的结构与高压相变行为,为进一步研制高温光电子器件奠定了基础;通过在p-GaN/n-ZnO异质结中引入i-ZnO层, 构造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型结构,成功研制出室温近紫外发射的ZnO异质结紫外发光二极管。
  发明了电子回旋共振(ECR)微波等离子体氮化制备高质量SiN薄膜的方法;根据纵向光学声子对P偏振红外强烈吸收的原理,建立和发展了利用P偏振红外反射吸收光谱表征超薄SiO2的方法。
  在国际上提出了无形变sp2π-Cluster是发光中心的观点。提出了N进入sp3 网络引起配位数减少导致应力释放的重要结果;提出了N的桥作用以及sp2π-Cluster团簇及其它的各种形变决定能隙的大小;在国际上提出并证实了N进入a-C:H网络中引起C-H键的弱化和网络的不稳定性。
  近年来在Adv. Mater.,
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