中国科学院院士、中国半导体科学奠基人之一

　　王守武^[1]，男，1919年3月15日生。江苏苏州人。中国科学院院士。半导体器件物理学家，中国半导体科学奠基人之一。
　　我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者，第一台单晶炉、第一根锗单晶、第一只锗晶体管、第一只激光器的研制者与组织领导者。在研究与开发中国半导体材料、半导体器件及大规模集成电路方面做出了重要贡献。在中国科技大学兼职授课20余年，培养了大批物理学家和半导体技术专家。
　　１９３６—１９４１年　上海同济大学机电系．获工程科学学士学位。
　　１９４１—１９４２年　重庆国民政府资源委员会昆明中央机器厂工务员。
　　１９４２—１９４３年　中国工合翻砂实验厂工务部主任。
　　１９４３—１９４４年　同济大学助教。
　　１９４５—１９４９年　美国普渡大学研究生院．相继获硕士、博士学位。
　　１９４９—１９５０年　美国普渡大学助理教授。
　　１９５０—１９６０年　中国科学院应用物理研究所（后改名为物理研究所）副研究员、研究员．半导体研究室主任。　
　　１９６０—１９８３年　中国科学院半导体研究所研究员、副所长。
　　１９８０—１９８５年　中国科学院半导体研究所研究员兼中科院１０９工厂厂长
　　１９８６年—　中国科学院半导体研究所研究员兼中国科学院微电子中心名誉主任
　　1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。
　　

1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。
　　1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。
　　1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。先后获得中国科学院科技成果一等奖、科技进步一等奖。
　　1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。
　　贡献与成就
　　^[2]１９５６年，是王守武科学研究工作中的一个转折点，人生之旅中的一个关键年代。因为在这一年，王守武应邀参加由党中央和国务院领导同志主持的“全国十二年科学技术发展远景规划”的讨论和制订工作。在所确定的５７项重大科技项目中，半导体科学技术的发展，被列为五大紧急措施之一，是抓紧实施的重点。１９５７年底，拉制成功了我国第一根锗单晶；同年１１月底到次年初，王守武与同事合作，研制成功了我国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术，能控制锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，达到了器件生产的要求。１９６８年春，王守武着手于基础理论的研究工作，开展了对新发现的耿氏器件中畴的雪崩驰豫振荡的深入研究。依这项工作写成的论文，１９７５年在美国物理学会年会上宣读后，得到国外同行的好评，当年的《中国科学》上发表了这篇论文。在这基础上，他开始用计算机模拟技术对耿氏器件中高场畴的动力学进行

分析研究，取得了系列成果，发表了多篇论文。１９７８年１０月，王守武全面负责４千位的ＭＯＳ随机存储器这一大规模集成电路的研究工作。
　　王守武还很热心教育事业。１９５８年，由中国科学院院长郭沫若任校长的中国科技大学成立，王守武受命任该校物理系（二系）副主任和半导体专业的主任，并为高年级学生讲授《半导体物理》（Ⅱ）课程，直到１９８０年止。这期间，学校半导体专业的教学内容和科研方向，都由王守武安排和制订，包括安排学生去半导体研究所实习和做毕业论文。他的辛劳，已结出丰硕的果实：他的学生，不少现已成为半导体科技领域中的栋梁人才。
　　在我国半导体学界享有崇高威望的半导体物理学家、微电子学家王守武，把发展我国半导体科学事业视为已任，兢兢业业为之奋斗了一生。他远见卓识，富于开创精神，勇于以学科发展中的关键课题和影响大的问题为目标，开拓新研究领域；他事业心强，奋发努力，从不满足已有成果，不断为自己提出新课题，并都以发展国民经济、增强综合国力为出发点；他对工作十分认真，重视实践，讲究实效，严格按科学规律办事；他为人忠厚、诚实，待人谦和，作风民主，无论是在学术讨论中，或做其他工作时，总是谦虚谨慎，平等待人。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。